其他器件制造用的高純石墨部件

說到器件和集成電路一般以硅器件（各種記憶單元、MPU)為代表，但是也有化合物半導體器件和LCD(液晶)。這類器件的制造裝置也大多使用高純石墨部件。下面僅介紹其中一部分。

（1）化合物半導體器件。最常見的化合物半導體器件有發光二極管和半導體激光。圖所示為發光二極管的制造工藝。

這里所使用的石墨制品有制作（化合物）單品棒時加熱用的加熱器和坩塌，以及外延生長置藝用的工裝。工業上所使用的外延生長法有液相外延法（LPE）和有機金屬CVD(MOCVD)法。圖2-37所示的是LPE法。LPE法的工藝為把化合物單晶片置于石墨滑板上，使熔融的同成分化合物（元素配合比不同）單晶片逐層成長，熔融物的容器也用石墨材料。工藝過程中若有金屬成分混入，將阻礙二極管/激光的發光，所以必須使用高純石墨部件。

(2）液晶。當今，液晶制品已成為電子顯示技術所不可或缺的器件，今后，其使用范圍還會不斷擴大。液晶器件的制造使用玻璃基板，由于在基板上形成回路的方法與硅器件基本相同，其工藝過程也大量地使用炭素制品，由于版面所限不再詳述，但其大有作為。

（3）液晶制造玻璃基板熱處理用的石墨板。在對液晶顯示裝置用的玻璃基板進行緩冷處理時，使用內埋金屬加熱器的石墨板。為了防止石墨粉黏附在玻璃上，一般使用玻璃炭涂層石墨。另外，由于玻璃基板的平面度極為重要，要求石墨板自身的平面度要好。玻璃金屬封

接用石墨板如圖2-38所示。

（4）TFT型液晶顯示用離子注入裝置部件。作為液晶顯示方式的一種，TFT方式是在Si薄膜上形成多個晶體管，但是需要添加摻雜物質的As或P。其做法與硅半導體同樣也用離子注入法，部分裝置也使用高純石墨部件。由于離子束的沖擊以及防止晶體管器件內混入摻雜物質以外的不純物，也需要使用高純石墨。

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